联系人:覃小敏
手机:19117262520
电话:86-021-39529830/31
传真:86-021-39529829/39-8007
地址:上海嘉定区嘉涌路99弄6号713
邮箱:19117262520@163.com
产品中心
性能BALLUFF磁敏传感器 T形槽
- 浏 览 量:770BMF307K-R-AS-L-3-S49-00,2
- 时 间:2023-12-02
- 城 市:上海市
性能BALLUFF磁敏传感器 T形槽我们用于T形槽的磁敏传感器以非接触方式透过缸壁探测活塞位置。特征:直接装入槽内,稳妥固定,可在空间狭窄的应用中齐平安装,可用于具有强磁性或弱磁性的气缸和夹具,高亮度LED。可提供超短型结构形式以及带金属壳体或磁敏电子装置的传感器。
性能BALLUFF磁敏传感器 T形槽
产品说明:
用于T形槽的磁敏传感器BMF能够直接安装到凹槽中,固定十分牢靠。它能够齐平安装,从而适合空间有限的应用需求。
此外,巴鲁夫为您提供超短型号,以便灵活使用。这些传感器以非接触方式透过缸壁探测活塞位置。此系统可用于具有强磁性和弱磁性的气缸和夹具。
磁阻传感器,磁敏二极管等是继霍尔传感器后派生出的另一种磁敏传感器。采用的半导体材料于霍尔大体 相同。但这种传感器对磁场的作用机理不同,传感器内载流子运动方向与被检磁场在一平面内。(顺便提醒一点,霍尔效应于磁阻效应是并存的。
巴鲁夫掌握一整套多样性的技术及其不同的工作原理。您可从我公司订购适合各种用途和满足各种要求的高传感器和系统,从线性位移检测和辨识直到目标检测和流体测量。适合日常工业应用以及临界环境中的艰苦使用。与之相匹配的,我们为您提供网络和连接技术以及广泛的附件产品。
在制造霍尔器件时 应努力减少磁阻效应的影响,而制造磁阻器件时努力避免霍尔效应(在计算公式中,互为非线性项)。在磁阻器件应用中,温度漂移的控制也是主要矛盾,在器件制 备方面,磁阻器件由于与霍尔不同,因此,早期的产品为单只磁敏电阻。由于温度漂移大,现在多制成单臂(两只磁敏电阻串联)主要是为补偿温度漂移。目前也有 全桥产品,但用法(目的)与霍尔器件略有差异。据报导磁阻器件的响应速度同霍尔1uS量。
尺寸 29 x 6.2 x 4.4 mm
接口 M8x1-公头, 3-针
电缆 PUR, 0.2 m
外壳材料 LCP
开关输出端 极性常开触点 (NO)
开关频率 1000 Hz
工作电压Ub 4~30 VDC/4~30 VAC
环境温度 -20...70 °C
性能BALLUFF磁敏传感器 T形槽
- BOS 18M-PA-RD20-S4BALLUFF漫反射型传感器安装与维护
- BES R01ZCPAC708BP00.2GS04巴鲁夫BALLUFF接近开关BES01W2示意图
- BOS 18M-PA-PR20-S4SBALLUFF镜面反射型传感器相关信息介绍
- BES M12MI-PSC40B-S04G性能BALLUFF电感式传感器BES0068
- BES M30MI-PSC10B-BV05巴鲁夫BALLUFF传感器 电感式应用广泛
- BCS-M30B4M2-PPM20C-S04G简单介绍BALLUFF电容式传感器,巴鲁夫
- BNS819-X936-B02-D12-61-12德国巴鲁夫多位置开关,BALLUFF尺寸图
- BTL7-E100-M0300-B-KA10介绍BALLUFF位移传感器,巴鲁夫尺寸图
- BHS0041巴鲁夫BALLUFF电感式接近传感器产品示意图
- BES 516-324-G-E4-C-02BES系列BALLUFF传感器规格图样