联系人:覃小敏
手机:19117262520
电话:86-021-39529830/31
传真:86-021-39529829/39-8007
地址:上海嘉定区嘉涌路99弄6号713
邮箱:19117262520@163.com
P+F倍加福漫反射光电传感器
- 浏 览 量:106RL29-8-H-1200-RT/73c/136
- 时 间:2023-11-29
- 城 市:上海市
P+F倍加福漫反射光电传感器电感式传感器是利用线圈自感或互感系数的变化来实现非电量电测的一种装置。利用电感式传感器,能对位移、压力、振动、应变、流量等参数进行测量。它具有结构简单、灵敏度高、输出功率大、输出阻抗小、抗干扰能力强及测量精度高等一系列优点,因此在机电控制系统中得到广泛的应用。
P+F倍加福漫反射光电传感器
RL29-8-H-1200-RT/73c/136
倍加福光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础,把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体,可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上,此时光子能量就传递给电子,并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收,电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化,从而使受光照射的物体产生相应的电效应。
倍加福光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础,把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体,可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上,此时光子能量就传递给电子,并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收,电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化,从而使受光照射的物体产生相应的电效应。
它的主要缺点是响应较慢,不宜于快速动态测量,而且传感器的分辨率与测量范围有关,测量范围大,分辨率低,反之则高。
磁传感器的常用效应是霍尔效应与磁阻效应。利用霍尔效应的元件是霍尔元件,它是在一半导体薄片两端之间通以电流,如果在薄片垂直方向外加一磁场,则载流子在罗伦兹力的作用下,将沿着与磁场方向垂直的方向移动,若在该方向上设置电极,则可检测出电压来(霍尔电压)。典型应用如电动车的调速方法。
P+F传感器被广泛应用于各种机械,机床制造业以及纺织,造纸,烟草,轻工,食品工业,化工,矿山,冶金,航空,电力,保安,汽车,船舶,交通运输,建筑,地铁等各行各业,对提高自动化系统的先进性和可靠性具有巨大的作用。
P+F倍加福漫反射光电传感器
- P+F倍加福接近开关
- P+F倍加福接近开关NJ10-30GK-E2-T-10M性能
- NBN12-18GM50-E2-5MP+F接近传感器售后要求
- NBN25-30GM70-E2-5M简单介绍P+F倍加福接近开关
- NCN3-F25-N4-V1描述倍加福传感器,P+F技术数据
- NBN15-30GM50-E2产品介绍P+F电感式接近开关用途
- NEN40-30GM60-E2-V1倍加福P+F电感式传感器参数范围
- VDM28-8-L1-IO/73C/110/122P+F倍加福激光测距传感器性能
- HCD2-FBPS-1.500P+F倍加福紧凑型控制器发货快速
- P+F倍加福读数头WCS3B-LS221选择要点